Abstract
Beim Vergleich der Messergebnisse auf ICEbene und Geräte/System-Ebene sind verschiedene Aspekte zu beachten. Bei der Messung mit der TEM-Zelle (es wird nur der
EMV Test-Chip gemessen) wird die Ausgangsspannung
der beidseitig mit 50 Ohm abgeschlossenen TEM-Zelle in dBµV gemessen. Im Fall der 150 Ohm Messmethode werden
die Ergebnisse ebenfalls in dBµV gemessen, hier wird jedoch der Test-Chip mit einem Anpassnetzwerk vermessen. Diese Messwerte sind nur qualitativ mit der Absorberhallen-
Messung (es wird der EMV Test-Chip mit einer (nicht EMV-gerechten) Testplatine gemessen) vergleichbar, da die Messergebnisse der Absorberhalle mit Hilfe von Hallenfaktoren auf die bei einer normgerechten Freifeldmessung in 10 m Messentfernung zu erwartenden Werte (in dBµV/m) umgerechnet wurden. Die unterschiedlichen
Abmessungen der Prüflinge (große Leiterschleifen
bei der Testplatine) führen zu unterschiedlichen
Abstrahlcharakteristika. Die jeweiligen Maxima liegen daher bei unterschiedlichen Frequenzen. Jedoch ist trotz
dieser Unterschiede beim Vergleich der Messergebnisse zu erkennen, dass bei einer Reduktion der Störemission auf Chip-Ebene auch eine ähnlich große Reduktion der Störstrahlung der Testplatine auf Geräte-Ebene auftritt.
Originalsprache | Deutsch |
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Titel | Das Verhalten von Geräten und Systemen im Vergleich zur EMV-Charakterisierung auf IC-Ebene. In: D&V Kompendium 2004 |
Seiten | 288-291 |
Seitenumfang | 4 |
Publikationsstatus | Veröffentlicht - 2004 |
Research Field
- Biosensor Technologies