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Interface states and trapping effects in Al<inf>2</inf>O<inf>3</inf>- and ZrO<inf>2</inf>/InAlN/AlN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructures

  • M. Ťapajna
  • , J. Kuzmík
  • , K. Čičo
  • , D. Pogany
  • , G. Pozzovivo
  • , G. Strasser
  • , S. Abermann
  • , E. Bertagnolli
  • , J.-F. Carlin
  • , N. Grandjean

Publikation: Beitrag in FachzeitschriftArtikelBegutachtung

OriginalspracheEnglisch
FachzeitschriftJapanese Journal of Applied Physics
DOIs
PublikationsstatusVeröffentlicht - 2009

Research Field

  • Energy Conversion and Hydrogen Technologies

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