EMV auf Geräte-, System- und IC-Ebene

Beim Vergleich der Messergebnisse auf ICEbene und Geräte/System-Ebene sind verschiedene Aspekte zu beachten. Bei der Messung mit der TEM-Zelle (es wird nur der EMV Test-Chip gemessen) wird die Ausgangsspannung der beidseitig mit 50 Ohm abgeschlossenen TEM-Zelle in dBµV gemessen. Im Fall der 150 Ohm Messmethode werden die Ergebnisse ebenfalls in dBµV gemessen, hier wird jedoch der Test-Chip mit einem Anpassnetzwerk vermessen. Diese Messwerte sind nur qualitativ mit der Absorberhallen- Messung (es wird der EMV Test-Chip mit einer (nicht EMV-gerechten) Testplatine gemessen) vergleichbar, da die Messergebnisse der Absorberhalle mit Hilfe von Hallenfaktoren auf die bei einer normgerechten Freifeldmessung in 10 m Messentfernung zu erwartenden Werte (in dBµV/m) umgerechnet wurden. Die unterschiedlichen Abmessungen der Prüflinge (große Leiterschleifen bei der Testplatine) führen zu unterschiedlichen Abstrahlcharakteristika. Die jeweiligen Maxima liegen daher bei unterschiedlichen Frequenzen. Jedoch ist trotz dieser Unterschiede beim Vergleich der Messergebnisse zu erkennen, dass bei einer Reduktion der Störemission auf Chip-Ebene auch eine ähnlich große Reduktion der Störstrahlung der Testplatine auf Geräte-Ebene auftritt.